Engenharia Elétrica

Eletrônica I (ELE-I)
Fase: 6ª, CHT = 60, CHP = 15, CHTT = 75

Ementa:

Diodos de junção: características e modelos. Circuitos com diodos. Transistor de efeito de campo (FET): características, modelos, polarização. Amplificador de um estágio. Transistor bipolar de junção (BJT). Características, modelos, polarização. Amplificador de um estágio. Amplificador de múltiplos estágios.

Programa da Disciplina:

1. Diodo de Junção. 
1.1. Características físicas da junção pn. 
1.1.1. Estrutura física da junção pn. 
1.1.2. Características Volt-Ampere estática ideal da junção pn. 
1.1.3. Desvios do comportamento ideal. 
1.1.4. Comportamento dinâmico da junção pn. 
1.2. Tipos de diodos de junção. 
1.2.1. Diodo retificador. 
1.2.2. Diodo zener. 
1.2.3. Diodo tunel. 
1.2.4. Diodo Schottky. 
1.2.5. Diodo varicap. 
1.2.6. Led, fotodiodo, célula solar. 
1.3. Modelos do comportamento elétrico do diodo de junção. 
1.3.1. Diodo ideal. 
1.3.2. Modelo "dc" linearizado e modelo incremental. 
1.3.3. Modelos para altas freqüências. 
1.4. Circuitos com diodos. 
1.4.1. Especificações dos fabricantes. 
1.4.2. Técnica de análise de circuitos com diodos. 
1.4.3. Circuitos retificadores. 
1.4.4. Circuitos ceifadores, grampeadores e limitadores de tensão. 
1.4.5. Circuitos com zener. 
1.4.6. Polarização do Led. 
1.4.7. Capacitor controlado por tensão. 
 
2. Transistor Bipolar de Junção. 
2.1. Características físicas do BJT. 
2.1.1. Estrutura. 
2.1.2. Equações das correntes do BJT. 
2.1.3. Características de saída em emissor comum e base comum. 
2.1.4. Regiões de operação. 
2.1.5. Ganhos de corrente. 
2.1.6. Dependência dos parâmetros do BJT com a corrente de coletor, tensão coletor base e temperatura. 
2.2. Modelos do BJT. 
2.2.1. Modelo de Ebers-Moll. 
2.2.2. Modelo incremental em baixa e alta freqüência. 
2.2.3. Parâmetros híbridos do BJT. 
2.3. Especificações dos fabricantes - valores limites de operação do BJT. 
 
3. Amplificadores com BJT. 
3.1. Conceitos básicos sobre amplificadores lineares. 
3.1.1. Nomenclatura e convenções. 
3.1.2. Análise "dc"e incremental. 
3.1.3. Análise gráfica do amplificador transistorizado. 
3.2. Circuitos de polarização do BJT. 
3.2.1. Polarização em base comum. 
3.2.2. Polarização em coletor comum. 
3.2.3. Polarização em emissor comum. 
3.2.4. Considerações de projeto do circuito de polarização - excursão de sinal - estabilidade do ponto quiescente. 
3.3. Amplificador de um estágio com BJT. 
3.3.1. Amplificador de base comum. 
3.3.2. Amplificador coletor comum. 
3.3.3. Amplificador emissor comum - cálculo de ganho de tensão, ganho de corrente, impedância de entrada e impedância de saída. 
3.3.4. Capacitores de acoplamento e desacoplamento - análise em freqüência. 
3.3.5. Considerações de projeto. 
 
4. Transistor de Efeito de Campo. 
4.1. Transistor de efeito de campo de junção (JFET). 
4.1.1. Estrutura. 
4.1.2. Equação da corrente de dreno. 
4.1.3. Característica de saída e de transferência. 
4.1.4. Regiões de operação. 
4.2. Transistor de efeito de campo de porta isolada (MOSFET). 
4.2.1. Estrutura. 
4.2.2. Equação da corrente de dreno. 
4.2.3. Característica de saída e de transferência. 
4.2.4. Regiões de operação. 
4.3. Modelos do FET. 
4.3.1. Modelos incrementais em baixo e alta freqüência. 
 
5. Amplilficador com FET. 
5.1. Circuitos de polarização do FET. 
5.1.1. Polarização direta de porta. 
5.1.2. Circuitos de autopolarização. 
5.1.3. Excursão de sinal. 
5.1.4. Estabilidade do ponto quiescente. 
5.2. Amplificador de um estágio com FET. 
5.2.1. Amplificador dreno comum. 
5.2.2. Amplificador fonte comum - cálculo de ganho de tensão, ganho de corrente, impedância de entrada e impedância de saída. 
5.2.3. Considerações de projeto. 
 
6. Amplificadores de Múltiplos Estágios. 
6.1. Análise e projeto de amplificadores em cascata. 

Bibliografia:

BOYLESTAD, Robert e NASHELSKY, Louis.. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Prentice Hall do Brasil.

SZE, S. M.. Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons.

SCHILLING, Donald L. e BELOVE, Charles. Circuitos Eletrônicos Discretos e Integrados. Guanabara Dois.

COMER, David J.. Introduction to Semiconductor Circuit Design. Addison Wesley Publishing Company.

MALVINO, Albert P.. Eletrônica. Volume I. McGraw-Hill.


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